IPM29- SiC_MOS智能功率模塊新產品內部集成了新一代N溝道增強型1200V-SiC_MOSFET芯片與與優化的SOI工藝6通道柵極驅動芯片，作為緊湊的1200V等級封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡便，針對SIC定制優化驅動部分，有效減小開關振蕩。此外，它采用緊湊式封裝，得益于使用具備很高熱導率的DBC基板，具有良好熱性能和充足的電氣隔離等級能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它針對相關應用進行了優化，是一款用于高效率的電機驅動與有源功率校正電路的高效逆變平臺而設計的個性化產品。例如供暖通風空調，風扇電機，車載空調及三相功率因數校正。

填補IPM產品市場端的高壓平臺的高頻應用需求。

IPM29- SiC_MOS新系列產驅動集成了自舉電路、一體化使能與可調故障輸出（FO）、防直通互鎖、欠壓保護與溫度輸出功能，優化的高壓柵極驅動配合內集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆變橋，極大地改善產品工作EMI特性與開關損耗，適用于高頻開關需求的電機驅動應用。

目前產品的規格等級有20A / 1200V > XNC20S12FT。

• 集成1200V/20A高壓柵極驅動與配套高速開關SiC_MOS逆變拓撲

• 優化驅動與SiC_MOS開關，降低開關損耗與優化EMI特性

• 三相全橋逆變拓撲，下橋發射極開路，適用于各類電機驅動場景

• 驅動集成帶限流電阻自舉二極管

• 內置欠壓保護、過流保護，互鎖、可調故障輸出及溫度輸出(VOT) 

• 完全兼容3.3V和5V驅動輸入信號

• 絕緣電壓等級：2500Vac

XNC20S12FT 新品SiC智能功率模塊在整機運行實驗中表現優秀，在較高工作載波頻率（32KHz），負載電流為80%的額定電流的工況下溫升表現良好，電流、電壓波形穩定無明顯尖刺干擾，能保證電機的穩定、高效運轉。